FDMS3686S

Hersteller-Teilenummer:	FDMS3686S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
Datenblätte:	FDMS3686S.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2615 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerFDMS3686S
HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
Teilstatus2615 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Supplier Device-GehäusePower56
SeriePowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 13A, 10V
Leistung - max1W
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-PowerTDFN
Andere NamenFDMS3686S-ND
FDMS3686STR
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds1785pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Typ FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-MerkmalLogic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
detaillierte BeschreibungMosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C13A, 23A
FDMS3686S Einzelheiten PDF [English]FDMS3686S PDF - EN.pdf

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